Neues „TRCDRIVE pack (TM)" von ROHM mit 2-in-1-SiC-Modul: Verringert die Größe des xEV-Wechselrichters beträchtlich
Kyoto, Japan (ots/PRNewswire) - - Branchenführende* Leistungsdichte durch Integration von SiC-MOSFETs der 4. Generation in kompaktem Gehäuse ROHM Co., Ltd. hat vier Modelle als Teil der TRCDRIVE pack (TM) Serie mit 2-in-1-SiC-Modulen entwickelt (zwei mit 750 V: BSTxxxD08P4A1x4, zwei mit 1.200 V: BSTxxxD12P4A1x1), ...